在技術進步和低碳化日益受到重視的英飛推動下，電子行業正在向結構更緊湊、凌推功能更強大的英飛系統轉變。英飛凌科技股份公司推出的凌推Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，英飛同時兼顧系統的凌推散熱要求和空間限制。目前，英飛英飛凌正在通過采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封裝的凌推兩個全新產品系列，擴展其 CoolSiC MOSFET分立式半導體器件 650 V產品組合。英飛這兩個產品系列基于CoolSiC 第2代（G2）技術，凌推在性能、英飛可靠性和易用性方面均有顯著提升，凌推專門用于中高檔開關模式電源（SMPS），英飛如AI服務器、凌推可再生能源、英飛電動汽車充電器、大型家用電器等。
該系列的Thin-TOLL封裝外形尺寸為 8x8 mm，具有市場上同類產品中領先的板上熱循環（TCoB）能力。TOLT 封裝是一種頂部散熱（TSC）封裝，其外形尺寸與 TOLL相似。這兩種封裝都能為開發者帶來諸多優勢。例如，在AI和服務器電源裝置（PSU）中采用這兩種封裝，可以減少子卡的厚度和長度并允許使用扁平散熱器。微型逆變器、5GPSU、電視 PSU 和 SMPS通常采用對流冷卻，Thin-TOLL 8x8封裝用于這些應用時，可以更大程度地減少主板上電源裝置所占的PCB面積。與此同時，TOLT還能控制設備的結溫。此外，TOLT 器件還與英飛凌采用Q-DPAK封裝的 CoolSiC 750 V這一頂部散熱CoolSiC 工業產品組合形成了互補。當器件所需的電源不需要Q-DPAK封裝時，開發者可使用TOLT器件減少SiC MOSFET占用的 PCB 面積。
供貨情況
采用 Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝的 650 V G2 CoolSiC MOSFET目前的RDS(on) 為20、40、50 和 60 mΩ。TOLT系列還推出了RDS(on) 為15 mΩ的型號。到2024年底，該產品系列將推出更多型號。
