先進的英飛英飛凌科技股份公司近期發布了CoolSiC MOSFETG2溝槽技術創新成果，在電力電子領域引發廣泛關注。凌推力效率這款新品旨在高效、術提升電穩定地解決電力問題，靠性解決電力行業對更優質解決方案的英飛期待。
與之前的凌推力效率硅材料功率器件相比，CoolSiC MOSFET G2無論是術提升電硬開關還是軟開關操作均有出色表現。關鍵品質因數相較于上一代G1，靠性大幅度提升20%以上，英飛使其在同等條件下具備更高的凌推力效率電力轉化效率。對于需要頻繁切換狀態的術提升電應用環境，例如光伏逆變器、靠性儲能設備、英飛電動汽車充電及UPS等，凌推力效率該技術的術提升電快速開關能力提升超過30%，提升了多方面的性能表現，更有效地控制能耗并降低功耗損失。
另外，CoolSiC MOSFET產品組合還成功實現了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統中的可靠性，降低了零件使用數量。
針對長時間連續運行的需要，英飛凌科技的獨家.XT互聯技術起到了關鍵作用，它在保證良好熱性能的前提下，提高了半導體芯片的性能，有益于克服行業難題。新產品的熱性能優化提高了12%，使芯片質量指標達到了前所未有的碳化硅性能新水平。
總的來說，CoolSiC MOSFET G2的出現，無論在性能方面還是在可靠性上，都有很好的表現。尤其是在高溫工況下，1200V系列產品可達150℃的穩定運行，并且具有高達200°C虛擬結溫的超負荷運作潛力，讓系統設計者面對電網波動等挑戰時能更加機動靈活。
英飛凌綠色工業電力部門總裁Peter Wawer博士對此表示：“如今，電力在我們的生活中占據核心地位，新的、高效的能源生產、傳輸和使用需求正在改變大環境。而CoolSiC MOSFET G2，則是英飛凌適應這個時代變化的一把鑰匙，它將碳化硅性能推向了全新的高峰。這種新一代SiC技術能幫助研發設計更加優化、緊湊、可靠且高效的系統，最大程度地節約能源，并削減每瓦CO2排放量。”
英飛凌領先的CoolSiC MOSFET溝槽技術結合屢獲殊榮的.XT封裝技術，進一步增強了基于CoolSiC G2的設計潛力，具有更高的導熱性、更好的裝配控制和更高的性能。此外，英飛凌掌握硅、碳化硅和氮化鎵（GaN）領域的所有相關功率技術，提供設計靈活性和領先的應用專業知識，滿足現代設計人員的期望和需求。基于SiC和GaN等寬帶隙（WBG）材料的創新半導體是有意識、高效利用能源促進脫碳的關鍵。
