日本半導體材料巨頭信越化學近日宣布了一項重大技術突破，化學成功研發并制造出專用于氮化鎵（GaN）外延生長的推出300毫米（即12英寸）晶圓，標志著公司在高性能半導體材料領域邁出了堅實的英寸圓加一步。此次推出的晶技術QST 300mm晶圓，憑借其獨特的速半熱膨脹系數（CTE）與GaN材料完美匹配，有效解決了外延層在生長過程中可能出現的導體翹曲和裂紋問題，顯著提升了產品的創新良率和可靠性。
此前，化學信越化學已在市場上成功推廣了150毫米（6英寸）和200毫米（8英寸）的推出QST襯底及其上的GaN外延產品，贏得了業界的英寸圓加廣泛認可。此次12英寸GaN晶圓的晶技術推出，不僅進一步豐富了公司的速半產品線，也為全球GaN器件制造商提供了更大尺寸、導體更高質量的創新材料選擇，有望推動GaN技術在電力電子、化學無線通信等領域的廣泛應用和快速發展。
