長鑫存儲技術有限公司獲得“半導體芯片測試方法、長鑫存儲存儲裝置、半導備及設備及存儲介質”專利。體芯許可公告日為11月14日，片測許可公告號碼為cn116540059b。試方

根據專利摘要，法裝該公開提供屬于半導體制造技術領域的置設專利半導體芯片測試方法、裝置、介質裝置及存儲介質。獲授該方法對半導體芯片進行直流應力試驗，長鑫存儲存儲得出直流應力試驗結果，半導備及直流應力試驗結果包括第一失效單位的體芯失效通知。根據第一無效單位的片測無效地址信息，確定交流試驗區；對交流應力試驗區域進行交流應力試驗，試方得出交流應力試驗結果，法裝交流應力試驗結果包括第二實效單位的失效通知。利用第一個有效單位的有效地址信息，利用第一個有效單位和第二個有效單位的有效地址信息，維修第二個有效單位。

這一公開縮短了測試時間，減少了測試費用。