根據韓國媒體 THE ELEC 的德州大規報導，類比晶片大廠德州儀器 (TI) 的儀器一位高層表示，該公司正在將其多個晶圓廠生產的計劃N晶 6 吋氮化鎵 (GaN) 晶片，轉移到 8 吋晶圓廠來生產。模將

報導指出，片生德州儀器韓國公司經理 Jerome Shin 在首爾舉行的產由吋轉吋新聞發布會上表示，德州儀器正在達拉斯和日本會津準備興建 8 吋晶圓廠，換成這將使其能夠提供更具價格競爭力的德州大規 GaN 晶片。

Jerome Shin 指出，儀器人們普遍認為 GaN 晶片比碳化矽 (SiC) 晶片更昂貴，計劃N晶但這種看法自 2022 年以來發生了轉變。模將因為德州儀器正在將其生產由 6 吋晶圓廠轉換為 8 吋晶圓廠，片生而生產更大的產由吋轉吋晶圓代表著每個晶圓上都有更多的晶片，這可以提高公司的換成生產力，也使量產的德州大規 GaN 晶片價格能更加便宜。

而現階段，GaN 晶片的價格已經低於 SiC 晶片。未來，德州儀器在達拉斯和日本會津工廠的改造完成後，將能夠進一步能夠提供更便宜的解決方案。達拉斯工廠的擴產預計將於 2025 年完成，不過 Jerome Shin 並未透露日本會津工廠的時間表。

不過，有市場人士表示，德州儀器這樣的計畫可能會導致GaN晶片價格全面下跌。目前，德州儀器也正在將電源管理晶片的生產從 8 吋晶圓廠轉變為 12 吋晶圓。這動作也已經使產業間的電源管理晶片價格下跌。不過，將電源管理晶片的生產從 8 吋晶圓廠轉變為 12 吋晶圓這可使得德州儀器節省 10% 以上的成本。

(首圖來源：德州儀器)