近年來，市設備生產高頻寬記憶體的場升儲正市場需求急劇上升，尤其是溫中隨著人工智慧（AI）熱潮的到來，讓這一趨勢愈加明顯。國長購買三星、鑫存SK 海力士和美光是計劃 HBM 市場的三大供應商，目前都在開發新產品，投入特別是市設備生產 HBM4 等下一代技術受到了業界的極大關注，其中 SK 海力士已宣布經在 2026 年開始生產 HBM4 產品，場升儲正搶攻未來市場的溫中主導地位。

根據日經亞洲評論的國長購買報導，中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）也計劃生產 HBM 高頻寬記憶體，鑫存而且正在採購必要的計劃設備。現階段，投入長鑫存儲已經獲得用於 HBM 高頻寬記憶體組裝和測試的市設備生產設備。

在目前市場上，主流的 HBM3 是透過 8 層或 12 層垂直堆疊來完成，投過中間通過矽通孔（TSV）來連結，然後放在一個基本邏輯晶片上，採用 1024 位元的介面連接。雖然看起來很簡單，但實際上並非如此，而且製造 HBM 高頻寬記憶體是一項複雜的任務。其生產的設備與傳統記憶體的設備有著根本的不同，而且生產過程中要進行相關測試，然後封裝，最後再測試整個堆疊。過程中需要大量的工具和專業知識，但 HBM 產品在頻寬和能效方面優於市面上其他所有類型的記憶體。

報導指出，長鑫存儲已經在合肥附近運營著一座 DRAM 晶圓廠，當前正在籌集資金建造第二座晶圓廠，將導入更先進的製程技術，用於製造和封裝 HBM 高頻寬記憶體。此外，長鑫存儲尚未開發自己的 HBM 生產和封裝技術，也還不清楚是哪類型的 HBM，因此預計未來一到兩年內還不能看到相關的產品。

(首圖來源：長鑫存儲)