5a40dd4ca1fff4a.jpg (112.64 KB, 下載次數(shù): 0)
2016-4-5 21:23 上傳
三星表示,為全新製程克服了DRAM行業(yè)中的球首大量技術(shù)挑戰(zhàn),包括獨(dú)有的家量m級記憶單元設(shè)計(jì)技術(shù)、四重曝光技術(shù)(QPT)、公司超薄介質(zhì)層沉積技術(shù)等等,而且依然使用了已有的氟化氬沉浸式光刻工藝,并未啟用昂貴且不成熟的EUV極紫外光刻。新的1xnm DDR4記憶體顆粒單顆容量8Gb(1GB),頻率高達(dá)3200MHz,相比于20nm製程下的DDR4-2400性能可提升30%,同時同等頻率下功耗降低10-20%,PC、主流伺服器、大型企業(yè)網(wǎng)路、高性能計(jì)算系統(tǒng)中都有廣闊的前景,單條容量最大可做到128GB。
今年晚些時候,三星還會使用新製程生產(chǎn)新的行動用DRAM記憶體顆粒,針對智慧手機(jī)和平板機(jī)領(lǐng)域。隨著新製程的到來、產(chǎn)能的擴(kuò)大,以及PC需求的下降、手機(jī)需求的增長減緩,記憶體價格將在今年出現(xiàn)大幅度下滑,下半年至少會降20-30%,最多可達(dá)40%。三星18nm加入戰(zhàn)局,必然會進(jìn)一步刺激價格走低。
消息來源