在12月10日舉行的微電第65屆國際電子器件大會（IEDM，International Electron Device Meeting）上，學(xué)院復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院碩士生李家意作為第一作者宣讀了論文《2晶體管2負(fù)載組成的周鵬組國展高面積效率低功耗靜態(tài)存儲器》（“Highly Area-Efficient Low-Power SRAM Cell with 2 Transistors and 2 Resistors”），介紹了在復(fù)旦完成并驗(yàn)證的課題目前世界上組成單元最少的靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM，Static random access memory）。際電究進(jìn)
SRAM一般應(yīng)用于先進(jìn)計算的器件高速緩存中，但由于需要6個晶體管（或4個晶體管加2個負(fù)載）才能實(shí)現(xiàn)基本功能，大會讀研集成度低，上宣功耗大，微電限制了應(yīng)用前景。學(xué)院微電子學(xué)院周鵬教授課題組與香港理工大學(xué)柴楊教授課題組合作，周鵬組國展在前期提出的課題原始創(chuàng)新雙表面溝道晶體管的基礎(chǔ)上（Nature Nanotechnology，14,662,2019），際電究進(jìn)充分發(fā)揮原子晶體本征優(yōu)勢，器件利用2個晶體管、大會讀研2個負(fù)載電阻實(shí)現(xiàn)了完整功能的SRAM器件，在同等技術(shù)節(jié)點(diǎn)下可節(jié)省晶圓面積33%并遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于目前不同器件功耗。同時，由于該器件實(shí)現(xiàn)了獨(dú)立的讀、寫操作，可以促進(jìn)SRAM在存內(nèi)計算的創(chuàng)新應(yīng)用，提供存算一體的新路徑。
論文的研究工作得到了國家自然科學(xué)基金杰出青年科學(xué)基金、優(yōu)秀青年科學(xué)基金、應(yīng)急重點(diǎn)項目及上海市集成電路重點(diǎn)專項等項目的資助，以及復(fù)旦大學(xué)專用集成電路與系統(tǒng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的支持。
IEDM是微電子器件領(lǐng)域的國際頂級會議，是國際學(xué)術(shù)界和頂尖半導(dǎo)體公司的研發(fā)人員發(fā)布先進(jìn)成果和最新進(jìn)展的重要窗口，是器件展示應(yīng)用前景標(biāo)尺的重要平臺，在國際半導(dǎo)體技術(shù)界具有廣泛的影響力。
制圖：實(shí)習(xí)編輯：責(zé)任編輯：李沁園
