全球被動元件領導廠商-國巨集團，國巨推出新款薄膜氮化鉭晶片電阻-NT系列。推出鉭晶

NT系列產品具備抗濕、新款抗硫、薄膜高精密度、氮化高穩定表現的片電特性，外殼尺寸從0402到1206 ，國巨電阻范圍為100Ω-481KΩ，推出鉭晶具有±0.1％、新款±0.25％、薄膜±0.5％及±1 ％的氮化窄容差和±25、±50 ppm /°C的片電低溫度特性(TCR)，額定功率值為1/20 W-2/5 W。國巨

NT系列擁有自生成鈍化層，推出鉭晶形成不透濕的新款介面使其包覆性的覆蓋電阻，因此水氣不易從外部滲入。多了鈍化層的保護，使得NT系列能在嚴苛的環境始終保持電阻的高穩定性，適用于醫療、航太、電信通訊、工業、測試和量測領域。

特色及可靠性測試標準

符合AEC-Q200車用標準

優異地抵抗含硫與高濕度環境

高精度和穩定性

低溫度特性(TCR)及低電噪聲

高／低溫循環試驗: ΔR/R ±0.1%

抗硫化試驗(105°C, 750小時硫化測試環境): ΔR/R ±2%

壽命／耐久度試驗(70°C)：ΔR/R ±0.1%

高溫高濕試驗 (85°C/85% RH): ΔR/R ±0.1%

審核編輯：彭菁