2020年12月1日，聯合美國新澤西州普林斯頓：領先的碳化碳化硅(SiC)功率半導體制造商UnitedSiC(聯合碳化硅)公司，現已基于其第四代SiC FET先進技術平臺推出四款首批器件。硅基作為目前市場上首批也是于第唯一的750V SiC FET，這四款第四代器件基于領先的代先品質因數(FoM)實現了新的性能水平，從而使汽車、進技件工業充電、術推電信整流器、出新數據中心功率因數校正(PFC)和 DC-DC轉換以及可再生能源和儲能領域的聯合電源應用都能夠從中受益。
這四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ兩種方案，碳化其FoM無與倫比，硅基并且其單位面積通態電阻更低，于第本征電容也很低。代先在硬開關應用中，進技件第四代FET實現了最低的術推RDS(on)×EOSS(mΩ·μJ)，因此其導通損耗和關斷損耗都得到降低。在軟開關應用中，其低RDS(on)×Coss(tr)(mΩ·nF)規格則可實現更低的傳導損耗和更高的頻率。這些器件不僅超越了現有SiC MOSFET競爭產品的性能(無論是在25℃低溫還是125℃高溫下工作)，而且還提供了最低的體二極管VF，并具有出色的反向恢復特性，從而降低了死區損耗并提高了效率。
這些新器件將聯合碳化硅的產品擴展到了750V，這樣就可以為設計人員提供更多的裕量并減少其設計約束。同時，這一VDS額定值的提高，也使這些FET有利于400/500V總線電壓應用。由于與±20V、5V Vth的柵極驅動器廣泛兼容，所有的器件都可以用0至+12V柵極電壓驅動。因此，就可以將它們與現有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅動器一起使用。
正如聯合碳化硅C公司工程副總裁Anup Bhalla所述：“從DC-DC轉換和車載充電到功率因數校正和太陽能逆變器，這些器件可幫助各行各業的工程師們解決他們在滿足最高電壓和功率要求時所面臨的各種挑戰。
“我們將在未來9個月內發布許多第四代新器件，而在性價比、散熱效率和設計裕量等方面實現進一步提高。到那時，各行各業就都有望克服大規模采用的挑戰，并借此加速創新。”
這四款第4代750V新SiC FET的定價(千片起，美國離岸價)從UJ4C075060K3S的3.57美元到UJ4C075018K4S的7.20美元不等。所有器件均可從授權分銷商處購買。
這四款SiC FET器件的規格如下所示：
