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新工藝讓氧化銅半導體材料更可靠

  【化工儀器網 行業(yè)百態(tài)】隨著大眾對于環(huán)境保護的新工日益重視,圍繞可持續(xù)發(fā)展展開的藝讓氧化能源改革在全球范圍內開始實施。其中以光伏為代表的銅半可再生能源應用成為了現(xiàn)階段能源改革的重要方向與重心。光伏作為一種目前相對成熟的導體技術,其優(yōu)點無需贅述。材料但事實上,新工這項技術目前仍存在許多的藝讓氧化難點需要解決,而光捕獲材料便是銅半其中之一。
   光捕獲材料是導體一種能夠吸收和轉化光能的特殊材料,其在太陽能電池、材料熒光共振能量轉移、新工光學傳感等領域具有廣泛的藝讓氧化應用。一般來說,銅半理想的導體光捕獲材料應對不同波長的光都有良好的響應,保證各種環(huán)境下都能盡可能的材料吸收更多的光子,從而實現(xiàn)更高的光電轉換效率。
   除此之外,好的光捕獲材料還要能應對外部因素的影響,既要避免天氣、溫度對轉化效率的影響,也要避免極端氣候對材料的物理損壞。事實上,這也是目前許多太陽能天池環(huán)境限制大,實際轉化率低于預期的原因。而目前解決該問題的手段也集中在優(yōu)化材料結構或者通過復合和氧化優(yōu)化材料性能上。
   就在最近,英國劍橋大學領導的研究團隊成功找到了一種新的生產工藝,能夠優(yōu)化光捕獲材料的性能,使其發(fā)揮出更理想的效果。
   相關報道中提到,目前常用的光伏材料中有一種氧化銅半導體材料,這種材料盡管價格便宜、儲量豐富且無毒,但是因為性能存在缺陷,因此無法撼動硅材料在光捕獲材料領域中的地位。
   但是研究團隊發(fā)現(xiàn)了一種新的方法改變了這一窘境。研究團隊通過薄膜沉積技術,在常壓室溫下制作氧化銅半導體材料,并通過精確控制腔內的生長和流速,讓氧化銅晶體“轉移”到特定方向。這樣得到材料,內部的晶體基本上是立方體,這使得電荷會以體對角線穿過晶體,電荷移動得更快更遠。電子移動得越遠,性能自然就更好了。
   實驗也證明,基于這種技術制造的氧化銅光收集器或光電陰極,與現(xiàn)有最先進的氧化物光電陰極相比,性能提高了70%,同時穩(wěn)定性也大大提高。一定程度上提升了氧化銅半導體材料投入實際應用的可行性。這對于光伏產業(yè)未來的發(fā)展也有重要的價值。

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新工藝讓氧化銅半導體材料更可靠

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