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臺(tái)積電、英特爾、三星背後供電技術(shù)比一比,力拚先進(jìn)製程市場



隨著摩爾定律的臺(tái)積特爾演進(jìn),電晶體越來越小,電英電技密度越來越高,星背堆疊層數(shù)也越來越多,後供可能需要穿過 10~20 層堆疊才能為下方電晶體提供電源和數(shù)據(jù)訊號(hào),術(shù)比這導(dǎo)致互連線和電源線共存的比力拚先線路層變成了一個(gè)越來越混亂的網(wǎng)路。同時(shí),進(jìn)製電子在向下傳輸?shù)某淌袌鲞^程中,會(huì)出現(xiàn) IR 壓降現(xiàn)象,臺(tái)積特爾導(dǎo)致電力損失產(chǎn)生。電英電技

臺(tái)積電、英特爾、三星背後供電技術(shù)比一比,力拚先進(jìn)製程市場

除了電力損失,星背供電線路占用空間也是後供問題。晶片電源線路佈線複雜的術(shù)比後段製程,往往占至少 20% 資源,比力拚先如何解決訊號(hào)網(wǎng)路跟供電網(wǎng)路資源排擠問題,進(jìn)製使元件微縮,變成晶片設(shè)計(jì)者主要挑戰(zhàn),這就造成半導(dǎo)體業(yè)界開始把供電網(wǎng)路轉(zhuǎn)移到晶片背面的原因。

臺(tái)積電超級(jí)電軌 2025 年 A16 製程亮相,技術(shù)複雜提高晶片效率

晶圓代工龍頭臺(tái)積電日前在北美技術(shù)論壇發(fā)表 A16 製程,除了容納更多電晶體,提升運(yùn)算效能,更降低能耗。更令人關(guān)切的,A16 導(dǎo)入結(jié)合超級(jí)電軌 (Super PowerRail) 架構(gòu)與奈米片電晶體,帶動(dòng)運(yùn)算速度更快、更有效率的資料中心處理器發(fā)展。A16 採不同晶片佈線,向電晶體輸送電力的電線位於電晶體下方而不是上方,稱為背面供電,有利生產(chǎn)更有效率的晶片。

最佳化處理器方法之一是緩解 IR 壓降,這會(huì)降低晶片電晶體接收電壓,降低性能。A16 電線不太容易電壓下降,不僅簡化電力分配,還允許晶片電路更緊密封裝,目標(biāo)是處理器放入更多電晶體以提高運(yùn)算能力。電晶體由四個(gè)主要元件組成,源極、汲極、通道和閘極。源極是電流流入電晶體的入口點(diǎn),汲極是出口,通道和閘極依序負(fù)責(zé)協(xié)調(diào)電子的運(yùn)動(dòng)。

臺(tái)積電 A16 將電力傳輸線直接連接源極和汲極,決定更複雜設(shè)計(jì)是因有助提高晶片效能。超級(jí)電軌 A16 將較 N2P 相同 Vdd (工作電壓),運(yùn)算速度增加 8%~10%,或相同運(yùn)算速度,功耗降低 15%~20%,晶片密度提升高達(dá) 1.10 倍,支援資料中心產(chǎn)品。

英特爾 PowerVia 今年 Intel?20A 生產(chǎn)就緒

與臺(tái)積電超級(jí)電軌相同,英特爾也推出背後供電解決方案 PowerVia。電源線原本可能占據(jù)晶片 20% 空間,但 PowerVia 背後供電節(jié)省空間,也意味互連層可更寬鬆。

英特爾團(tuán)隊(duì)還特地製作 Blue Sky Creek 測試晶片證明,背後供電電源線和互連線可分離並線徑更大,以改善供電和訊號(hào)傳輸。測試結(jié)果顯示,晶片大部分區(qū)域的標(biāo)準(zhǔn)單元利用率都超過 90%,平臺(tái)電壓降低 30%,並達(dá)成 6% 頻率提升,同時(shí)單元密度也大幅增加,並有望降低成本。PowerVia 測試晶片也展示良好的散熱特性,符合邏輯微縮預(yù)期將實(shí)現(xiàn)的更高功率密度。

PowerVia 也計(jì)劃導(dǎo)入英特爾代工服務(wù)(IFS),客戶設(shè)計(jì)晶片能更快達(dá)能效和性能提升。英特爾 PowerVia 背後供電介紹,英特爾 Intel 20A 製程採 PowerVia 背後供電技術(shù)及 RibbonFET 全環(huán)繞柵極電晶體架構(gòu),上半年生產(chǎn)準(zhǔn)備就緒,未來量產(chǎn)客戶端 ARL 平臺(tái)正在晶圓廠啟動(dòng)步進(jìn)(First Stepping)。

三星 2027 年 SF1.4 製程應(yīng)用

臺(tái)積電另一競爭對(duì)手三星除了率先轉(zhuǎn)型 GAA 電晶體技術(shù),背後供電(BSPDN)也是三星追逐先進(jìn)製程的殺手鐧。先前南韓媒體報(bào)導(dǎo),三星代工部門技術(shù)長 Jung Ki-tae Jung 曾宣布,2027 年將背後供電用於 1.4 奈米製程。

與傳統(tǒng)前端供電網(wǎng)路相比,三星背後供電網(wǎng)路使耗用晶圓面積減少 14.8%,晶片空間更多,增加更多晶體管,提高整體性能,佈線長度減少 9.2%,有助降低電阻使更多電流通過,降低功耗,改善功率傳輸狀況。相關(guān)人士表示,背後供電半導(dǎo)體量產(chǎn)時(shí)間,可能會(huì)據(jù)客戶時(shí)程安排有不同,三星正在調(diào)查哪些客戶有需求。

(首圖來源:科技新報(bào)攝)

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