position>home>Spotlights三星電子Q3利潤超預期 存儲產業調整或已進入尾聲FitFusion Published on 2024-12-05 12:39:47 comment(169)read(1358)10月31日，星電三星電子公布了第三季度財報，潤超數據顯示，預期公司第三季度營收為67.40萬億韓元 (約合人民幣3653億元)，存儲產業同比下降約12%，調整但公司凈利潤達5.5萬億韓元，或已遠超此前預期的進入2.52萬億韓元，同比降幅從第二季度的尾聲86%下降至40%，盈利情況有所改善。星電三星電子2023年第三季度財報來源：三星電子官網存儲芯片業務呈現反彈跡象據三星電子公開消息，潤超此次業績表現超出預期的預期主要原因一是智能手機新品和高端顯示產品的銷售量增加，二是存儲產業半導體業務部門（DS部門）的虧損收窄。財報顯示，調整三星電子DS部門這一季度的或已虧損為3.75萬億韓元，低于前一季度虧損的進入4.36萬億韓元。虧損收窄的主要原因是三星電子此前選擇了減產策略。三星電子作為存儲芯片的主要供給方之一，在全球半導體產業周期性調整的環境下，其存儲芯片業務的波動對DS部門影響極大。在第一季度財報中，DS部門出現了虧損達4.58萬億韓元，同比虧損了13.03萬億韓元。在巨大的虧損壓力面前，三星電子在上半年針對DRAM和NAND兩種存儲器決定分別減產20%和30%，以期將仍有富裕的庫存調整至供需平衡的狀態。來源：三星電子官網當下游企業庫存逐漸消化后，存儲可能迎來了反彈的曙光。三星電子曾于本月10日傳出消息稱，其9月已與客戶（包括小米、OPPO及谷歌）簽署了內存芯片供應協議，DRAM和NAND閃存芯片價格較之前合同價格上調10%-20％。半導體行業專家張先揚告訴《中國電子報》記者：“NAND漲價，從供給端看，是三星電子NAND Flash大幅控產策略發揮積極效果；從需求端看，目前終端廠商已處于去庫存的后期，第四季度存儲需求市場已表現出復蘇態勢。”簡言之，存儲市場供過于求的態勢在三星電子等企業堅持減產的策略下有所改善?！皡⒖家酝闹芷诖蠖嗳绱?。‘周期’誕生的主要原因不僅是實際需求大量增加，還是需求和供給的時間錯位。”半導體行業專家盛凌海向《中國電子報》記者表示，“因為芯片生產時間較長，如果預測做得不完善就會導致供過于求，最終變成庫存，從而導致新的需求減少。減產是消耗庫存的一種手段，庫存在清理殆盡后新需求重新浮現，供應鏈即可再次增加產能?！?/section>從第三季度的成績來看，縱然三星電子無法恢復到一年前的水平，但是相較上一季度已經有了大幅提升。數據顯示，NAND Flash第四季度合約價全面起漲，eMMC、UFS漲幅約10%-13%，此外Mobile DRAM合約價季漲幅預估也將擴大13-18%。三星電子表示，隨著DRAM和NAND中高密度產品的客戶庫存調整已經完成，未來在個人電腦和移動設備上的需求將會有所改善。高端技術產品仍是發力點與傳統服務器需求表現平平相比，面向人工智能等高端產品的服務器需求仍舊強勁。三星電子的DDR5存儲芯片（來源：三星電子官網）三星電子表示，由于DDR5和HBM等用于AI技術的高端存儲芯片需求持續高漲，DRAM產品在第二季度出貨量已經超出預期。并且在第四季度，DS部門將會專注于高附加值產品的銷售，例如HBM3等。一方面，DDR5和LPDDR5被傾注了更多關注。DDR5在帶寬速度、單片芯片密度、工作頻率上面相較DDR4有較大提升,更適用于數據中心、元宇宙、AI等新興領域的服務器產品。半導體行業專家張先揚表示，DDR5和LPDDR5對比DDR4，其利潤空間和溢價空間更大，三星電子正在逐漸改變產品結構，這也是改善營收的一種手段。另一方面，HMB的競爭進入白熱化階段。三星電子在名為Icebolt的HBM3產品后繼續研發HBM3E，并命名為“Snowbolt”。在英偉達GPU與SK海力士的高帶寬存儲器深度合作的情況下，該產品可能會參與未來與海力士的競爭。同時，三星電子表示將于2024年繼續擴大HBM3和HBM3E的生產和銷售，以滿足高性能和高帶寬這方面的需求。三星電子研發的HBM3（來源：三星電子官網）除此之外，作為標準的IDM企業，三星電子也正努力“多路并進”。在芯片設計上，三星電子曾于10月6日宣布將推出下一代旗艦處理器獵戶座Exynos2400。該系列芯片因前代Exynos2200因功耗散熱等問題導致市場表現不及預期，使得2300的研發計劃暫時擱淺。此次Exynos2400的預熱，被視作與高通在10月25日最新發布的驍龍8Gen3再次競爭，在三星電子未來將推出的S系列移動設備上，也將采用交替搭載的方式來觀察二者在全球市場上的表現。GAA結構相比FinFET實現了四面環繞（來源：三星電子官網）代工業務方面，三星電子表示其基于GAA工藝的3nm晶圓已開始大規模生產。此前，率先應用臺積電3nm工藝的蘋果iPhone，散熱問題難以解決，其原因在于臺積電3nm所使用的三面柵FinFET結構（鰭式場效應晶體管）導致短溝道效應無法有效控制漏電現象。在頭部代工廠商突破4nm制程之后，三星電子當前所使用的四面環繞式GAA架構可能會成為保證能耗比的重要技術，但是當前3nm所傳出的僅有60%左右的良率問題仍需三星電子等代工廠商嚴肅對待。責任編輯：王信豪
