核心提示：實際的前置器存儲器結(jié)構(gòu)由許許多多的基本存儲單元排列成矩陣形式，并加上地址選擇及讀寫控制等邏輯電路構(gòu)成。前置器當CPU要從存儲器中讀取數(shù)據(jù) 實際的前置器
存儲器結(jié)構(gòu)由許許多多的基本存儲單元排列成矩陣形式，并加上地址選擇及讀寫控制等邏輯電路構(gòu)成。前置器當CPU要從存儲器中讀取數(shù)據(jù)時，前置器就會選擇存儲器中某一地址，前置器并將該地址上存儲單元所存儲的前置器內(nèi)容讀走。早期的前置器DRAM的存儲速度很慢，但隨著內(nèi)存技術(shù)的前置器
飛速發(fā)展，隨后發(fā)展了一種稱為快速頁面模式(Fast Page Mode)的前置器DRAM技術(shù)，稱為FPDRAM。前置器FPM內(nèi)存的前置器讀周期從DRAM陣列中某一行的觸發(fā)開始，然后移至內(nèi)存地址所指位置的前置器**列并觸發(fā)，該位置即包含所需要的前置器數(shù)據(jù)。**條信息需要被證實是前置器否有效，然后還需要將數(shù)據(jù)存至系統(tǒng)。一旦發(fā)現(xiàn)**條正確信息，該列即被變?yōu)榉怯|發(fā)狀態(tài)，并為下一個周期作好準備。這樣就引入了“等待狀態(tài)”，因為在該列為非觸發(fā)狀態(tài)時不會發(fā)生任何事情(CPU必須等待內(nèi)存完成一個周期)。直到下一周期開始或下一條信息被請求時，數(shù)據(jù)輸出緩沖區(qū)才被關(guān)閉。在快頁模式中，當預測到所需下一條數(shù)據(jù)所放位置相鄰時，就觸發(fā)數(shù)據(jù)所在行的下一列。下一列的觸發(fā)只有在內(nèi)存中給定行上進行順序讀操作時才有良好的效果。從50納秒FPM內(nèi)存中進行讀操作，理想化的情形是一個以6-3-3-3形式安排的突發(fā)式周期(6個時鐘周期用于讀取**個數(shù)據(jù)元素，接下來的每3個時鐘周期用于后面3個數(shù)據(jù)元素)。**個階段包含用于讀取觸發(fā)行列所需要的額外時鐘周期。一旦行列被觸發(fā)后，內(nèi)存就可以用每條數(shù)據(jù)3個時鐘周期的速度傳送數(shù)據(jù)了。FP RAM雖然速度有所提高，但仍然跟不上新型高速的CPU。很快又出現(xiàn)了EDO RAM和SDRAM等新型高速的內(nèi)存芯片
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