綜合外媒 CNews、俄國Tom′s Hardware 報導，計劃俄羅斯已公布自主開發曝光機的自研造路線圖，目標是備比打造比 ASML 系統更經濟且更複雜的設備。這些曝光機將採用波長為 11.2 奈米的系統雷射光源，而非 ASML 使用的更便標準 13.5 奈米波長。因此，宜容易製新技術無法與現有 EUV 基礎設施相容，俄國需要俄羅斯自行開發配套的計劃曝光生態系統，可能需要數年甚至十年以上時間。自研造
該國半導體計畫由俄羅斯科學院微觀結構物理研究所的備比 Nikolay Chkhalo 領導，目的系統是製造性能具競爭力且具成本優勢的 EUV 曝光機，以對抗 ASML 的更便設備。其中，宜容易製俄國將採用 11.2 奈米的俄國氙（xenon）基雷射光源，取代 ASML 的錫（tin）基系統。Chkhalo 表示，11.2 奈米的波長能提升解析度約 20%，不僅簡化設計並降低光學元件的成本，還能呈現更精細的細節。此外，該設計可減少光學元件的污染，延長收集器和保護膜等關鍵零件的壽命。
俄羅斯曝光機還可使用矽基光阻劑，預期在較短波長下將具備更出色的性能表現。儘管該曝光機產量僅為 ASML 設備 37%，主要因為其光源功率僅 3.6 千瓦，但效能足以應付小規模晶片生產需求。
儘管 11.2 奈米波長仍屬於極端紫外線光譜範疇，但這並非單純的小幅調整。所有光學元件包括反射鏡、塗層、光罩設計以及光阻，都需要針對新的波長進行特別設計與最佳化。也因此，雷射光源、光阻化學、污染控制及其他支援技術也須重新設計，才能確保在 11.2 奈米波長下的有效運作。
以 11.2 奈米波長為基礎的工具很難直接兼容現有以 13.5 奈米為基礎 EUV 架構與生態系統，甚至連電子設計自動化（EDA）工具也需要進行更新。雖然現有 EDA 工具仍可完成邏輯合成、佈局和路由等基本步驟，但涉及曝光的關鍵製程，如光罩資料準備、光學鄰近校正（OPC）和解析度增強技術（RET），則需要重新校準或升級為適合 11.2 奈米的新製程模型。
據報導，該曝光機的開發工作將分為三個階段，第一階段將聚焦於基礎研究、關鍵技術辨識與初步元件測試；第二階段將製造每小時可處理 60 片 200 毫米晶圓的原型機，並整合至國內晶片生產線；第三階段的目標是打造一套可供工廠使用的系統，每小時可處理 60 片 300 毫米晶圓。目前還不清楚這些新的曝光工具將支援哪些製程技術，路線圖也未提到各階段完成的時間表。
- Russia plans EUV chipmaking tools that it says will be cheaper and easier to build than ASML’s — country outlines new roadmap to smaller chips
（首圖來源：ASML）
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