據AMD高層透露，加將支其最新處理器MI300已備好支持更高速的速器HBM3E內存。2月27日本次電話會議中，持H存AMD的加將支首席技術官馬克·帕佩瑪斯特，向投資人展示并強調了他們對存儲領域的速器深入理解。他解釋說：“目前我們已經準備好了8層及12層堆疊的持H存HBM設計，以及針對HBM3和HBM3E的加將支新架構。”

據手機資訊網站IT之家了解，速器MI300加速器配備了HBM3內存模塊，持H存并面向HBM3E進行了重新設計。加將支另外，速器該公司在供應鏈交付合作方面頗為深入，持H存不僅與主要的加將支存儲器供應商建立了穩固的聯系，同時也與如臺積電等重要的速器基板供應商以及OSAT社區保持著緊密的合作關系。根據之前Tom‘s Hardware發布的持H存報告顯示，Instinct MI300X和MI300A都使用了8個HBM堆棧，分別提供了192/128GB的總內存容量。

相較于HBM3，新的HBM3E內存在讀取和寫入速度上都有大幅提高，比如SK海力士產品的HBM3引腳傳輸速率能達到6.4Gbps，而HBM3E則高達9.2Gbps。此外，由于部分制造商已經推出單顆容量36GB的HBM3E內存，如此一來新的內存還可以增加處理器的總內存大小。

在此前的消息中，知情網友@Kepler_L2曾經提到過，AMD計劃推出一款修改后的MI300型號，將采用HBM3e作為內存，這一消息得到了首席技術官的間接證實。