英特爾 (Intel) 上週宣布，英特投資 185 億美元的爾年愛爾蘭 Fab 34 晶圓廠以 EUV 微影曝光設備量產，是底接英特爾晶片製造的重要里程碑。

英特爾技術開發總經理 Ann Kelleher 表示，收業年底先導入下一代高數值孔徑（High-NA）EUV 微影曝光設備，界首High-NA 高數值孔徑 EUV 微影曝光設備將用在 Intel 18A 節點開發和驗證，英特之後的爾年節點量產。

英特爾強調，底接有了 High-NA EUV 微影曝光設備，收業理論上可實現「四年五節點製程」目標。界首Ann Kelleher 說英特爾正按計畫進行，英特已完成兩個節點製程，爾年也就是底接 Intel 7 及 Intel 4，第三個節點 Intel 3 很快就會開始，收業最後 Intel 20A 及 Intel 18A 節點都有非常好進展。界首

微影曝光矽統大廠艾司摩爾 (ASML) 執行長 Peter Wennink 9 月接受媒體採訪時透露，儘管供應商有些問題，但 ASML 仍會照計畫，年底交貨 High NA EUV 微影曝光設備。一套 High-NA EUV 微影曝光設備體積和卡車相當，每臺超過 1.5 億歐元，滿足各類半導體製造商需求，十年內可製造更小更先進的晶片。

Ann Kelleher 又指英特爾預定稍晚俄勒岡州收到首批 High-NA EUV 微影曝光設備，是首個取得這款設備的晶片商。最先進晶片是臺積電與三星量產 3 奈米製程。進入後 3 奈米時代，ASML 及夥伴正在開發全新 High NA EUV 微影曝光設備，有 0.55 NA 的高數值孔徑透鏡，減少 3 奈米以上節點工序，降低成本，有更好良率。

(首圖來源：影片截圖)