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臺積電已啟動2nm試產前置作業,將導入英偉達DGX H100系統使用cuLitho加速

6月5日消息,臺積據業內消息,電已晶圓代工大廠臺積電近期已經啟動了2nm試產的啟動前置前置作業,將搭配導入最先進AI系統來實現節能減碳,試產使用速并加速試產效率,作業預計蘋果、將導o加英偉達(NVIDIA)等大廠都將會是入英臺積電2nm量產后的首批客戶。

臺積電已啟動2nm試產前置作業,將導入英偉達DGX H100系統使用cuLitho加速

消息人士透露,偉達臺積電為應對2nm試產前置作業,系統內部也開始調度工程師人力到竹科研發廠區做準備,臺積預計召集千人以上的電已研發部隊,初期會先在竹科建立小量試產生產線,啟動前置目標今年試產近千片,試產使用速試產順利后,作業將導入后續建設完成的將導o加竹科寶山Fab 20廠,由該廠團隊接力沖刺2024年風險試產與2025年量產目標。

對于傳聞,臺積電6月4日表示“不評論相關傳聞”,但強調2nm技術研發進展順利,預計2025年量產。

公開資料顯示,臺積電未來最先進的2nm生產基地會先是在竹科寶山Fab 20廠,該廠區為四期規劃,后續還將擴至中科,共計有六期的工程。

臺積電2nm制程將會首度采用全新的環繞閘極(GAA)晶體管架構。臺積電此前在技術論壇中指出,相關新技術整體系統性能相比3nm大幅提升,客戶群先期投入合作開發意愿遠高于3nm家族初期,并可量身訂做更多元化方案。

臺積電此前已公布了2nm家族制程藍圖規劃,將包括2025年量產的N2,主要為高性能計算(HPC)產品量身打造背面供電設計,將在2025下半年推出;另外,2奈米家族的N2P和N2X預計將在2026年推出。

供應鏈透露,臺積電在客戶們的迫切需求推動之下,2nm多項前期作業已展開,最關鍵是光刻計算方面,一改過去依賴于CPU的方式,將導入以英偉達的DGX H100的AI系統進行協助,大幅提升運算效率,并同步提升光罩產量,大幅減少服務器用電。

在今年的3月的英偉達GTC大會上,英偉達就發布了一項面向芯片制造行業的突破性技術——NVIDIA cuLitho計算光刻庫,可以將計算光刻加速40倍以上,使得2nm及更先進芯片的制造成為可能。

“計算光刻是芯片設計和制造領域中最大的計算工作負載,每年消耗數百億CPU小時。大型數據中心24x7全天候運行,以便創建用于光刻系統的掩膜板。這些數據中心是芯片制造商每年投資近2000億美元的資本支出的一部分。”黃仁勛表示,cuLitho能夠將計算光刻的速度提高到原來的40倍。舉例來說,英偉達H100 GPU的制造需要89塊掩膜板,在CPU上運行時,處理單個掩膜板需要兩周時間,而在GPU上運行cuLitho只需8小時。

當時黃仁勛就表示,全球最大晶圓廠臺積電、全球光刻機霸主ASML、全球最大EDA巨頭新思科技(Synoposys)均參與合作并引入這項技術。該軟件正被集成到臺積電的設計系統中,臺積電將于6月開始對cuLitho進行生產資格認證。它還將被集成到Synopsys的設計軟件中。

據介紹,臺積電可通過在500個DGX H100系統上使用cuLitho加速,將功率從35MW降至5MW,替代此前用于計算光刻的40000臺CPU服務器。使用cuLitho的晶圓廠,每天可以生產3-5倍多的光掩膜,僅使用當前配置電力的1/9。

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