記憶體大廠美光科技（Micron）宣布推出採用 1β 製程節(jié)點(diǎn)技術(shù)的美光 16Gb DDR5 記憶體。美光 1β DDR5 DRAM 的β節(jié)記憶內(nèi)建系統(tǒng)功能速率可達(dá) 7,200MT/s，目前已出貨給所有資料中心及 PC 客戶。點(diǎn)製美光 1β DDR5 記憶體採用先進(jìn)高介電常數(shù) CMOS 製程、程延四相位時(shí)脈及時(shí)脈同步，伸至伺服相較於前一代產(chǎn)品，器及效能可提升 50%，推出體每瓦效能功耗可降低 33%。美光

美光指出，β節(jié)記憶為因應(yīng)資料中心工作負(fù)載所需，點(diǎn)製CPU 內(nèi)核數(shù)持續(xù)增加，程延為突破「記憶體牆」（Memory Wall）瓶頸，伸至伺服同時(shí)為客戶提供最佳化的器及總擁有成本，對於記憶體頻寬及容量需求也隨之大幅提升。推出體美光 1β DDR5 DRAM 可擴(kuò)大運(yùn)算能力，美光並以更高效能輔佐資料中心及客戶端平臺，支援 AI 訓(xùn)練及推論、生成式 AI、資料分析、記憶體資料庫等。全新 1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品在現(xiàn)有模組化密度中，速率可達(dá) 4,800MT/s 至 7,200MT/s，適用於資料中心及客戶端應(yīng)用。

美光核心運(yùn)算 DRAM 產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程事業(yè)部企業(yè)副總裁 Brian Callaway 指出，量產(chǎn) 1β DDR5 DRAM 並提供給客戶及資料中心平臺，是業(yè)界一大里程碑，在我們與生態(tài)系夥伴及客戶合作下，將加速高效能記憶體產(chǎn)品的普及。

美光 1β 技術(shù)協(xié)助提供更廣泛的記憶體解決方案，包括使用 16Gb / 24Gb / 32Gb DRAM 晶粒 DDR5 RDIMMs 和 MCRDIMMs、使用 16Gb / 24Gb DRAM 晶粒的 LPDDR5X 及 HBM3E 與 GDDR7。全新美光 16Gb DDR5 記憶體產(chǎn)品可透過直接銷售及通路夥伴供貨。

(首圖來源：科技新報(bào)攝)