英特爾 (intel) 近日宣布，英特已經(jīng)接收市場首套具有 0.55 數(shù)值孔徑（High-NA）的爾拿 ASML 極紫外（EUV）曝光機(jī)，將協(xié)助其在未來幾年大成更先進(jìn)的下首晶片製程技術(shù)。與之形成對比的英特是，臺積電當(dāng)前則視似乎按兵不動，爾拿並不急於加入這場下一代曝光技術(shù)的下首競賽。市場分析師預(yù)計，英特臺積電可能要到 1.4 奈米 (A14)，爾拿或是下首更晚的 2030 年之後才會採用這項技術(shù)。

英特爾這次獲得的英特 High-NA EUV 曝光機(jī)將首先用於學(xué)習(xí)和掌握這項技術(shù)，並預(yù)計在未來兩到三年內(nèi)用於 intel 18A 製程技術(shù)之後的爾拿制程節(jié)點。相較之下，下首臺積電則採取更加謹(jǐn)慎的英特策略，市場分析師就認(rèn)為，爾拿臺積電可能要到預(yù)計的下首 A1.4 製程，或者是 2030 年之後才會採用 High-NA EUV 曝光機(jī)。

分析師表示，與英特爾計劃將 High-NA EUV 與 GAA 電晶體同時導(dǎo)入 intel 20A 製程技術(shù)不同的是，預(yù)計臺積電將在 A14 製程技術(shù)之後才導(dǎo)入 High-NA EUV，甚至?xí)r間將更晚到 2030 年以後。

事實上，英特爾積極的製程技術(shù)發(fā)展路線，包括從 intel 20A 開始導(dǎo)入 RibbonFET 全環(huán)柵電晶體架構(gòu)和 PowerVia 背面供電技術(shù)。然後，在 intel 18A 進(jìn)一步優(yōu)化，並在 intel 18A 之後製程節(jié)點採用 High-NA EUV 曝光機(jī)，以達(dá)到更低功耗、更高性能，以及更小晶片尺寸的目標(biāo)。

市場分析師認(rèn)為，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高於 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因。因為臺積電更傾向於採用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競爭力。因為 High-NA EUV 需要更高的光源功率才能驅(qū)動更精細(xì)的曝光尺寸，這會加速投影光學(xué)器件和光罩的磨損，抵消了更高產(chǎn)能的優(yōu)勢。因此，這與臺積電以最具成本競爭力的技術(shù)瞄準(zhǔn)市場的策略一致。

而臺積電早在 2019 年就開始在晶片量產(chǎn)中使用 EUV 曝光機(jī)，雖然比三星晚了幾個月，辦事比英特爾卻早了幾年的時間。當(dāng)前，英特爾希望在 High-NA EUV 領(lǐng)域搶先三星和臺積電，以獲得一定的技術(shù)和戰(zhàn)略優(yōu)勢，增加客戶的青睞程度。所以，一旦臺積電等更晚才採用 High-NA EUV 曝光機(jī)，能否持續(xù)保住其在製程技術(shù)方面的領(lǐng)先地位，則需要後續(xù)持續(xù)觀察。

(首圖來源：ASML)