英特爾晶圓代工達成先進半導體製造邁出重大里程碑，英特其位於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的爾完英特爾研發(fā)基地，英特爾研發(fā)人員已完成業(yè)界首臺商用高數(shù)值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）組裝。成首

英特爾表示，英特此套由微影技術大廠艾司摩爾（ASML）供應的爾完 TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV 微影設備，將開始進行多項校準步驟，成首預計於 2027 年啟用、英特率先用於 Intel 14A 製程，爾完協(xié)助英特爾推展未來製程藍圖。成首此設備將投影印刷成像到晶圓的英特光學設計進行改造，明顯提升下世代處理器的爾完圖像解析度和尺寸縮放。

英特爾指出，成首High NA EUV 微影設備在先進晶片開發(fā)和下世代處理器生產(chǎn)中扮演關鍵角色。英特英特爾晶圓代工領先業(yè)界布署的爾完 High NA EUV 微影設備，將為晶片製造帶來前所未有的成首精準度和可擴充性，協(xié)助英特爾開發(fā)創(chuàng)新功能完善的晶片，加速推動 AI 和其他新興技術的發(fā)展。

而 ASML日前也宣布，位於荷蘭費爾德霍芬總部的高數(shù)值孔徑實驗室首次列印出 10 奈米的高密度線路，創(chuàng)下 EUV 微影設備解析度的世界紀錄，成為 EUV 微影設備迄今為止列印出最精細的線路。這項突破也讓 ASML 的合作夥伴蔡司（ZEISS）在 High NA EUV 微影設備上的創(chuàng)新光學設計獲得驗證。

英特爾強調，在研發(fā)人員初步校準該設備機臺的光學元件、感測器和平臺後，High NA EUV 已列印出突破性的圖像，為完整運作奠定基石。ASML 透過全領域光學微影系統(tǒng)列印出的 10 奈米高密度線路，為布署商用 High NA EUV 機臺邁出關鍵下一步。另外，當 High NA EUV 微影設備與英特爾晶圓代工服務的其他領先製程技術相結合時，列印尺寸預計將比現(xiàn)有 EUV 機臺縮小 1.7 倍。也由於 2D 尺寸縮小，密度將提高 2.9 倍。英特爾將持續(xù)引領半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展更小、更密集的圖案化（pattterning）技術，進一步延伸摩爾定律。

事實上，相較於 0.33 數(shù)值孔徑的 EUV 微影設備，高數(shù)值孔徑 EUV 微影設備（或 0.55 數(shù)值孔徑的 EUV 微影設備） 可為類似的晶片尺寸提供更高的成像對比度，可減少每次曝光所需的進光量，並縮短每層列印時間，進而提高晶圓廠的產(chǎn)能。

英特爾進一步強調，TWINSCAN EXE:5000 系統(tǒng)的總重量超過 150 噸，將先分裝於 250 多個貨箱中，並集中裝入 43 個貨櫃，貨櫃由多架貨機運送至西雅圖，再利用 20 輛卡車運輸?shù)蕉砝諏荨Ｖ幔⑻貭栍媱濎?2025 年 Intel 18A 的產(chǎn)品驗證以及未來 Intel 14A 的量產(chǎn)階段，採用 0.33 和 0.55 數(shù)值孔徑的 EUV 微影設備，並結合其他先進的微影製程技術，共同推進先進晶片的開發(fā)和製造，藉此改善英特爾的先進製程技術成本與效能。

(首圖來源：英特爾提供)