英特爾晶圓代工達(dá)成先進(jìn)半導(dǎo)體製造邁出重大里程碑，英特其位於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的爾完英特爾研發(fā)基地，英特爾研發(fā)人員已完成業(yè)界首臺商用高數(shù)值孔徑極紫外光微影設(shè)備（High NA EUV）組裝。成首

英特爾表示，英特此套由微影技術(shù)大廠艾司摩爾（ASML）供應(yīng)的爾完 TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV 微影設(shè)備，將開始進(jìn)行多項(xiàng)校準(zhǔn)步驟，成首預(yù)計(jì)於 2027 年啟用、英特率先用於 Intel 14A 製程，爾完協(xié)助英特爾推展未來製程藍(lán)圖。成首此設(shè)備將投影印刷成像到晶圓的英特光學(xué)設(shè)計(jì)進(jìn)行改造，明顯提升下世代處理器的爾完圖像解析度和尺寸縮放。

英特爾指出，成首High NA EUV 微影設(shè)備在先進(jìn)晶片開發(fā)和下世代處理器生產(chǎn)中扮演關(guān)鍵角色。英特英特爾晶圓代工領(lǐng)先業(yè)界布署的爾完 High NA EUV 微影設(shè)備，將為晶片製造帶來前所未有的成首精準(zhǔn)度和可擴(kuò)充性，協(xié)助英特爾開發(fā)創(chuàng)新功能完善的晶片，加速推動 AI 和其他新興技術(shù)的發(fā)展。

而 ASML日前也宣布，位於荷蘭費(fèi)爾德霍芬總部的高數(shù)值孔徑實(shí)驗(yàn)室首次列印出 10 奈米的高密度線路，創(chuàng)下 EUV 微影設(shè)備解析度的世界紀(jì)錄，成為 EUV 微影設(shè)備迄今為止列印出最精細(xì)的線路。這項(xiàng)突破也讓 ASML 的合作夥伴蔡司（ZEISS）在 High NA EUV 微影設(shè)備上的創(chuàng)新光學(xué)設(shè)計(jì)獲得驗(yàn)證。

英特爾強(qiáng)調(diào)，在研發(fā)人員初步校準(zhǔn)該設(shè)備機(jī)臺的光學(xué)元件、感測器和平臺後，High NA EUV 已列印出突破性的圖像，為完整運(yùn)作奠定基石。ASML 透過全領(lǐng)域光學(xué)微影系統(tǒng)列印出的 10 奈米高密度線路，為布署商用 High NA EUV 機(jī)臺邁出關(guān)鍵下一步。另外，當(dāng) High NA EUV 微影設(shè)備與英特爾晶圓代工服務(wù)的其他領(lǐng)先製程技術(shù)相結(jié)合時(shí)，列印尺寸預(yù)計(jì)將比現(xiàn)有 EUV 機(jī)臺縮小 1.7 倍。也由於 2D 尺寸縮小，密度將提高 2.9 倍。英特爾將持續(xù)引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展更小、更密集的圖案化（pattterning）技術(shù)，進(jìn)一步延伸摩爾定律。

事實(shí)上，相較於 0.33 數(shù)值孔徑的 EUV 微影設(shè)備，高數(shù)值孔徑 EUV 微影設(shè)備（或 0.55 數(shù)值孔徑的 EUV 微影設(shè)備） 可為類似的晶片尺寸提供更高的成像對比度，可減少每次曝光所需的進(jìn)光量，並縮短每層列印時(shí)間，進(jìn)而提高晶圓廠的產(chǎn)能。

英特爾進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)，TWINSCAN EXE:5000 系統(tǒng)的總重量超過 150 噸，將先分裝於 250 多個(gè)貨箱中，並集中裝入 43 個(gè)貨櫃，貨櫃由多架貨機(jī)運(yùn)送至西雅圖，再利用 20 輛卡車運(yùn)輸?shù)蕉砝諏荨Ｖ幔⑻貭栍?jì)劃於 2025 年 Intel 18A 的產(chǎn)品驗(yàn)證以及未來 Intel 14A 的量產(chǎn)階段，採用 0.33 和 0.55 數(shù)值孔徑的 EUV 微影設(shè)備，並結(jié)合其他先進(jìn)的微影製程技術(shù)，共同推進(jìn)先進(jìn)晶片的開發(fā)和製造，藉此改善英特爾的先進(jìn)製程技術(shù)成本與效能。

(首圖來源：英特爾提供)