【導(dǎo)讀】
層層組裝范德瓦爾斯(vdW)異質(zhì)結(jié)構(gòu)是大突固態(tài)物理學(xué)、材料科學(xué)和化學(xué)領(lǐng)域新發(fā)現(xiàn)的大突基礎(chǔ)。盡管目前很多取得了成功,大突但所有當(dāng)前的大突二維材料(2DM)轉(zhuǎn)移技術(shù)都依賴于使用聚合物輔助,這限制了多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)的大突界面潔凈度,從而影響電子輸運性能和光電應(yīng)用的大突潛力。依據(jù)聚合物輔助的大突二維材料異質(zhì)結(jié)制備技術(shù)對樣品的制備有多重限制,(1)層間聚合物殘留會限制可使用器件的大突尺寸;(2)對很多空氣氧化的材料,界面處的大突氣泡(主要包括聚合物殘留,空氣,大突水等)會導(dǎo)致被包裹材料的大突氧化變性;(3)對于復(fù)雜多層二維材料的構(gòu)成的器件(例如:發(fā)光器件LED),聚合物輔助轉(zhuǎn)移技術(shù)雜質(zhì)殘留問題會導(dǎo)致器件可利用空間很小,大突通常在幾個微米尺寸;(4)聚合物不能使用在超真空轉(zhuǎn)移中;(5)聚合物轉(zhuǎn)移技術(shù)不能用來制備有機溶劑樣品以及生物樣品。大突因此,大突得到超潔凈界面以及大面積轉(zhuǎn)移,大突和復(fù)雜有機樣品制備,是目前急需解決的重大挑戰(zhàn)。
在本文中,曼徹斯特大學(xué)Roman Gorbachev教授等人(主頁 https://www.rglab.co.uk/)提出了一種新穎的無聚合物轉(zhuǎn)移平臺,用于快速簡便地組裝異質(zhì)結(jié)構(gòu),該平臺利用可重復(fù)使用的柔性無機氮化硅薄膜。該平臺能夠快速、可重復(fù)地生產(chǎn)二維異質(zhì)結(jié)構(gòu),包括使用剝離材料和CVD生長的材料。該技術(shù)可以得到具有無層間污染的完美界面和相應(yīng)的優(yōu)異電子輸運器件,僅受到所使用晶體的大小和固有質(zhì)量的限制。此外,去除對聚合物載體的需求為范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備提供了新的可能性:在高達600°C的高溫下進行組裝,以及在超高真空(UHV)和材料完全浸泡在液體中的不同環(huán)境中進行組裝。文章首次展示了UHV異質(zhì)結(jié)構(gòu)組裝,并展示了石墨烯莫爾超晶格結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)均勻性提高了一個數(shù)量級以上。作者相信,廣泛采用新型無機二維材料組裝策略將充分發(fā)揮范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)作為新物理和先進光電技術(shù)平臺的潛力。相關(guān)文章以“Clean assembly of van der Waals heterostructures using silicon nitride membranes” 發(fā)表在NatureElectronics上。文章第一作者為Wendong Wang博士,Nick?Clark博士 Matthew Hammer 博士,以及Amy 通訊作者為Roman?Gorbachev教授。其中Wendong?Wang?博士在2022年就以獨立作者在Nature Reviews Physics上提出該方法。?
【核心創(chuàng)新點】
報道了二維材料的無機轉(zhuǎn)移技術(shù),解決了二維材料異質(zhì)結(jié)制備當(dāng)中的界面雜質(zhì)問題。為新的器件制備以及二維材料的工業(yè)化使用提供了技術(shù)基礎(chǔ)。
【數(shù)據(jù)概覽】
圖一:氮化硅薄膜的制備以及石墨烯異質(zhì)結(jié)制備
圖二:石墨烯電學(xué)性能比較以及復(fù)雜LED器件制備和光學(xué)驗證
圖三: 超真空制備技術(shù)以及石墨烯轉(zhuǎn)角均勻性驗證
圖四: CVD?材料大面積轉(zhuǎn)移
【成果啟示】
該研究表面,氮化硅薄膜可以用來作為二維材料異質(zhì)結(jié)植被的載體,該方法制備的異質(zhì)結(jié)界面可以達到原子級別的潔凈。為復(fù)雜異質(zhì)結(jié)制備,器件加工,以及大面積轉(zhuǎn)移提供了技術(shù)支持。
原文詳情:https://www.nature.com/articles/s41928-023-01075-y