晶圓代工龍頭臺積電在近日舉辦的臺積推出 IEEE 國際電子元件會議（IEDM）的小組研討會上透露，其 1.4 奈米製程技術研發已經全面展開。電奈同時，米製臺積電重申，程將稱為2 奈米製程技術將按計畫於 2025 年開始量產。計年

外媒報導，期間臺積電的臺積推出 1.4 奈米製程技術的正式名稱為 A14，不過在會議上，電奈臺積電尚未透露 A14 製程技術的米製量產時間和具體參數。但因為到 2 奈米製程技術將在於 2025 年底量產，程將稱為接下來的計年 N2P 製程技術於 2026 年底量產，因此 A14 製程技術預計將會在 2027~2028 年問世。期間

在技術方面，臺積推出A14 製程技術不太可能採用垂直堆疊互補場效應電晶體（CFET）技術。電奈不過，米製臺積電仍在發展這項技術。因此，A14 可能將像 N2 製程技術一樣，依賴於臺積電的第二代或第三代環繞柵極場效應電晶體（GAAFET）技術。另外，N2 和 A14 製程技術也需要系統級優化，才能真正發揮作用，並達成新的性能、功耗水準。

報導表示，當前還不清楚臺積電是否會真的在 2027~2028 年的時間點量產 A14 製程技術採用 High-NA EUV 曝光技術。只是，考量到屆時英特爾預計將採用 High-NA EUV 曝光技術的情況下，臺積電使用這些機器應該相當容易入手。然而，由於 High-NA EUV 曝光技術將打光罩尺寸減半，這將給晶片設計人員和製造商帶來一些新的需求和挑戰。

當然，從現在到 2027~2028 年，當中很多事情都可能還會有所發生變化，但可以肯定的是，臺積電的工程師和開發人員正在致力於下一代製程節點的研發。

(首圖來源：臺積電)