HBM3E：推動人工智能革命
隨著人工智能需求的工智持續(xù)激增，內(nèi)存解決方案對于滿足工作負(fù)載需求的美光增加至關(guān)重要。美光 HBM3E解決方案通過以下優(yōu)勢直面這一挑戰(zhàn)：
?卓越的開始性能：美光 HBM3E引腳速率超過 9.2Gb/s，提供超過 1.2TB/s的量產(chǎn)領(lǐng)先內(nèi)存帶寬，助力人工智能加速器、行業(yè)超級計算機和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)超高速的解決方數(shù)據(jù)訪問。
?出色的案加能效：美光 HBM3E功耗比競品低約 30%，處于行業(yè)領(lǐng)先地位。速人為支持日益增長的人工智能需求和用例，HBM3E以更低功耗提供更大吞吐量，從而改善數(shù)據(jù)中心的主要運營支出指標(biāo)。
?無縫的可擴展性：美光 HBM3E目前提供 24 GB容量，使數(shù)據(jù)中心能夠無縫擴展其人工智能應(yīng)用。無論是用于訓(xùn)練海量神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)還是加速推理任務(wù)，美光的解決方案都提供了必要的內(nèi)存帶寬。
美光執(zhí)行副總裁暨首席商務(wù)官 Sumit Sadana表示:“美光憑借 HBM3E這一里程碑式產(chǎn)品取得了三大成就：領(lǐng)先業(yè)界的上市時間、引領(lǐng)行業(yè)的性能和出眾的能效表現(xiàn)。人工智能工作負(fù)載在很大程度上依賴于內(nèi)存帶寬和容量。美光擁有業(yè)界領(lǐng)先的 HBM3E和 HBM4產(chǎn)品路線圖，以及為 AI 應(yīng)用打造的 DRAM和 NAND全套解決方案，為助力人工智能未來的大幅增長做足了準(zhǔn)備。”
美光利用其 1β（1-beta）技術(shù)、先進的硅通孔（TSV）和其他實現(xiàn)差異化封裝解決方案的創(chuàng)新技術(shù)開發(fā)出業(yè)界領(lǐng)先的 HBM3E設(shè)計。美光作為2.5D/3D 堆疊和先進封裝技術(shù)領(lǐng)域長久以來的存儲領(lǐng)導(dǎo)廠商，有幸成為臺積電3Dfabric聯(lián)盟的合作伙伴成員，共同構(gòu)建半導(dǎo)體和系統(tǒng)創(chuàng)新的未來。
美光將于 2024 年 3 月出樣 12 層堆疊的 36GB 容量 HBM3E，提供超過 1.2TB/s 的性能和領(lǐng)先于競品的卓越能效，從而進一步強化領(lǐng)先地位。美光將贊助 3 月18 日開幕的英偉達 GTC全球人工智能大會，屆時將分享更多前沿 AI 內(nèi)存產(chǎn)品系列和路線圖。
