中國北京(2020年5月12日) - 業界領先的宣布協議半導體器件供應商兆易創新GigaDevice今日宣布，與領先的簽訂半導體IP供應商Rambus Inc. 就RRAM (電阻式隨機存取存儲器) 技術簽署專利授權協議。同時，授權兆易創新還與其同Rambus 以及幾家戰略投資伙伴的兆易專利合資企業——合肥睿科微(Reliance Memory)簽署了授權協議 。根據協議內容，創新兆易創新從Rambus和睿科微獲得180多項RRAM技術相關專利和應用，宣布協議這將有助于兆易創新在新型存儲器RRAM 領域的簽訂前瞻性技術布局，從而為嵌入式產品提供更豐富的授權存儲解決方案。
RRAM作為一種非易失性隨機存儲方式，兆易專利能夠在改變電壓的創新前提下，通過改變電介質的宣布協議電阻進行存儲。 RRAM擁有獨特物理與器件特性，簽訂可在工藝后端線(BEOL) 以列陣結構制造，授權其列陣結構的低電壓特性能夠有效降低MCU產品中嵌入式非易失性存儲解決方案的功耗，非常適合物聯網應用; 此外，根據學術界與行業發表的相關文獻，在平衡性能、可靠性及成本的方面，RRAM有可能成為在DRAM和Flash之間一種可行的存儲級內存(SCM)。
兆易創新是一家扎根中國，服務全球的國際化公司，兆易創新一直密切關注存儲領域的技術創新，積極進行戰略布局，開拓具有差異化的細分市場。早在2018年5月，兆易創新就攜手Rambus以及其他全球知名半導體投資機構創辦了以RRAM技術為核心業務的合資公司合肥睿科微。
兆易創新董事長朱一明先生表示：“兆易創新一直以創新為己任，多年來致力新技術革新，強化產品競爭力，重視核心專利， 此次獲得Rambus和睿科微針對RRAM技術的授權，有助于我們為客戶提供更具創新特色的存儲解決方案。”
Rambus技術合作和企業發展高級副總裁Kit Rodgers表示：“兆易創新在全球閃存領域已取得顯著的成績，我們很高興能夠將RRAM專利方案授權給兆易創新，此次授權能夠幫助其在存儲器領域開發創新型的解決方案，并加速其商用的進程。”
