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減產效應、記憶體價格逾兩年來首揚,DRAM 漲 11%



因記憶體廠商減產、減產記憶庫存過剩情況緩解,效應推升記憶體價格逾兩年來首見上漲,體價11 月 DRAM 價格揚升 11%。格逾

減產效應、記憶體價格逾兩年來首揚,DRAM 漲 11%

日經新聞24日報導,兩年來首因業績惡化的減產記憶記憶體廠商減產、庫存過剩情況緩解,效應也帶動原先市況低迷的體價記憶體漲價浪潮擴散,DRAM、格逾NAND Flash價格兩年多來首見上漲。兩年來首DRAM產品11月指標性產品DDR4 8Gb批發價(大宗交易價格)為每個1.65美元左右,減產記憶較10月上漲11%,效應2021年6月以來首度呈現上漲;NAND Flash產品,體價10~12月指標性產品TLC 256Gb價格為每個1.85美元左右,格逾較前一季揚升12%,兩年來首為2021年7~9月當季後首度上漲。

因PC、智慧手機需求低迷,三星電子、美光(Micron)、SK海力士、鎧俠(Kioxia)等記憶體廠商自2022年後半相繼減產,力圖恢復價格。據電子產品商社指出,庫存過剩情況緩解,「減產效應終於顯現」。

記憶體買家以穩定採購為優先考量,因此接受漲價的動向擴散。某家PC廠採購負責人透露,「因記憶體廠商稱『價格維持低水準的話不會出貨』,因此別無選擇、只能接受一定程度漲價」。

半導體業每隔三至四年就會出現一次興衰交替的「矽週期」(Silicon Cycle),目前市場普遍認為2023年為週期底部,2024年將好轉。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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