半導體曝光機大廠 ASML 宣布，與星與韓國三星電子簽署備忘錄，簽署共同投資 1 兆韓圜（約新臺幣 230 億元）建立研究中心，備忘並用下一代極紫外（EUV）曝光機研究先進半導體製程技術。錄韓立研ASML 也宣布與 SK 海力士簽署 ESG 備忘錄，國建雙方在環境、究中社會和公司治理專案合作。與星
11 月初消息，簽署三星五年內從 ASML 採購 50 套設備，備忘每套單價約 2,000 億韓圜，錄韓立研總價值可達 10 兆韓圜（約新臺幣 2,300 億元）。國建
三星 2022 年 6 月推出全球首個採用全柵極（GAA）技術 3 奈米製程，究中努力確保採購更多 EUV 曝光機，與星目標是簽署 2024 上半年進入第二代 3 奈米製程，2025 年進入 2 奈米，備忘2027 年進入 1.4 奈米。
三星集團董事長李在鎔 2022 年 6 月拜訪 ASML 總部，與 ASML 執行長 Peter Bennink 討論 EUV 採購，同年 11 月與拜訪韓國的 Peter Bennink 進一步會談。鑒於 EUV 曝光機從下訂到交貨至少需一年，討論現在才開花結果。
ASML 曾表示，年底發表首臺商用 High-NA (NA=0.55) EUV 曝光機，2025 年量產出貨。2025 年客戶就能從數值孔徑為 0.33 傳統 EUV 多重圖案化，切換到數值孔徑為 0.55 High-NA EUV 單一圖案化，降低製程成本，提高產量。High-NA EUV 曝光機將有五大客戶：英特爾、臺積電、三星、SK 海力士、美光。ASML 與三星才會與三星加強合作 EUV 曝光機。
(首圖來源：ASML)
